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| 邀请报告：大面积白光OLED器件 |
| 2006-3-10 |
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Anil R. Duggal, J. J. Shiang, Donald F. Foust, Larry G. Turner,
William F. Nealon, and Jake C. Bortscheller
GE Global Research, Niskayuna, NY, USA
本文介绍了一种发出1200流明光的照明型大面积白光面板。该器件采用由蓝色OLED发光向下转换的技术方法获得，器件为容错型单片串连式结构。该器件的高发光效率表面聚合物得单/三线态发光效率可以突破25％。
器件结构：
图1 白光器件结构
图2 白光器件发光光谱
图3 由3个发光单元组成的单片单片串连式结构中发光单元相互连接的侧面结构图。每个发光单元的活性面积由夹在ITO和阴极间的有机层的区域界定。
图4 采用单片串连式结构的蓝色OLED器件的性能
图5 采用单片串连式结构的白色OLED器件的性能
图6 大面积OLED示范板及性能参数
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4.2高效顶发射白光有机电致发光器件
Shih-Feng Hsu
Dept. of Applied Chemistry, National Chiao Tung University（台湾交通大学）, Hsinchu, Taiwan
Shiao-Wen Hwang and Chin H. Chen
Display Institute, Microelectronics and Information Systems Research Center
National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan
通过调整阳极和阴极结构本文研制了一种宽光谱高效白光顶发射有机电致发光器件。为了缓解不期望的微腔效应并获得宽光谱白光发射，器件阳极采用CFx覆盖银修正反射率，阴极采用折射率匹配层SnO2覆盖的最大透过率为80％的Ca/Ag层。这个基于蓝光黄光双层结构的顶发射宽光谱白光器件最高电致发光效率为22.2 cd/A (9.6 lm/W)，此时驱动电压为7.3V，电流密度为20 mA/cm2，色坐标为(x ＝0.31, y ＝0.47)。
器件结构：
Device A：Ag (200 nm)/ITO (75 nm)/ NPB (50 nm)/1.5 wt% Rubrene : NPB (20 nm)/3 wt% DSA-Ph : MADN (40 nm)/ Alq3 (10 nm)/Ca (5 nm)/Ag (15 nm)
Device B：ITO (75 nm)/ NPB (50 nm)/1.5 wt% Rubrene : NPB (20 nm)/3 wt% DSA-Ph : MADN (40 nm)/ Alq3 (10 nm)/SnO2 (22.5nm)/Ca (5 nm)/Ag (15 nm)
Device C: Ag (200 nm)/ CFx /ITO (75 nm)/ NPB (50 nm)/1.5 wt% Rubrene : NPB (20 nm)/3 wt% DSA-Ph : MADN (40 nm)/ Alq3 (10 nm)/SnO2 (22.5nm)/Ca (5 nm)/Ag (15 nm)
图1 本实验所用主要材料的化学结构和三中顶发射器件的器件结构（A传统 B透明 C电极修正）
表1 器件A, B,C在 20mA/cm2下的电致发光性能
图2 3个顶发射器件的电致发光光谱
图3 器件C在0，30， 60度视角下的电致发光光谱
图4 器件A, B, C的电压－电流－亮度曲线
制备在低温多晶硅底板上的白光顶发射OLED器件照片
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4.3: 基于白光OLED器件的长寿命－低功耗红绿蓝白显示
Jeffrey P. Spindler, Tukaram K. Hatwar, Michael E. Miller, Andrew D. Arnold, Michael J. Murdoch, Paul J. Kane, John E. Ludwicki, and Steven A. Van Slyke
Eastman Kodak Company（柯达公司）, Rochester, NY, USA
本文描述了采用红绿蓝白像素格式的低功耗、长寿命全彩OLED显示技术。所得高效、稳定白光器件，色度得到了优化基本达到D65白点显示，同时满足了低功耗和稳定发光的要求。并且，讨论了一种新的采用次级样品红和蓝子像素增加红绿蓝白显示寿命的技术途径。
表1 不同种类复合白光制备红绿蓝白和红绿蓝全彩器件的性能比较
图1基于两种不同复合白色发光的红绿蓝和红绿蓝白样机的功耗比较图
图2红绿蓝和红绿蓝白OLED显示的以开口率为函数的预期寿命曲线
图3 （a）常规红绿蓝白条纹像素图形（b）次级红绿蓝白条纹像素图形
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4.4：具有最高能量效率最长寿命的新型全彩OLED显示
Jan Birnstock, Michael Hofmann, Sven Murano, Martin Vehse, and Jan Blochwitz-Nimoth Novaled GmbH, Tatzberg 49, D-01307 Dresden, Germany（德国）
Qiang Huang, Gufeng He, Martin Pfeiffer, and Karl Leo
Institut fuer Angewandte Photophysik, Technische Universitaet Dresden, Georg-Baehr-Str. 1, D-01069
Dresden, Germany
本文报道了一组用于全彩显示的顶发射PIN-OLED（包含一个P型掺杂的空穴传输层，一个本征传导发光层，和一个N型掺杂电子传输层的OLED）器件。对应于红，绿，蓝二极管，亮度为1000cd/m2的能量效率分别达到11 lm/W, 70 lm/W, 和8.4 lm/W。500cd/m2亮度下，磷光底发射PIN-OLED的寿命为30000小时，由此可以看出采用电荷载流子掺杂可以获得更长寿命的器件。用新分子N掺杂材料NDN-1代替Cs可以获得更高的器件稳定性。同时，本文报道了一种白光底发射OLED,色坐标为0.35，0.37(95年色坐标)，1000cd/m2下，能量效率达到16.3 lm/W。
图1 红色磷光顶发射器件的电压－亮度曲线
图2绿色磷光顶发射器件的电压－亮度曲线
图1 蓝色荧光顶发射器件的电压－亮度曲线
图4 以上3个器件的色坐标位置图
表1顶发射和底发射红绿蓝器件的性能比较
图5 红色磷光PIN-OLED器件的寿命曲线。预计初始亮度为500cd/m2时，器件寿命为30000小时。插图为驱动电压随器件老化时间的变化。测量条件为封装器件且温度为27oC
图6 Cs和NDN PIN-OLED器件的电压－电流曲线比较
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10．1：宽光谱发射微腔OLED器件
Yuan-Sheng Tyan, Joel D. Shore, Giuseppe Farruggia, and Thomas R. Cushman
Eastman Kodak Company, Rochester, NY 14650-2017, USA
为了集合受角度影响的所有窄发射光谱，同时有利于短波长光的出射，本文在常规微腔器件中增加一层光散射层制备了一种宽光谱发射微腔OLED器件。这种结构提高了器件的发光效率，同时，用金属薄膜代替ITO更有利于扩大器件面积和降低器件成本。
表1 器件结构
图1不同角度下器件A的发光光谱
图2不同角度下器件B的发光光谱
图3不同角度下器件C的发光光谱
图4器件A、B、C的角度积分辐射比较
表2 器件A、B、C的性能总结
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10．2：邀请报告：具有两个金属镜面的微腔OLED结构研究
C.-C. Wu, C.-L. Lin, H.-W. Lin
Department of Electrical Engineering, Graduate Institute of Electro-optical Engineering, and Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University（台湾大学）, Taipei, Taiwan 10617, Republic of China
本文研究了具有两个金属镜面的微腔OLED器件的光学特性。分析表明，为了获得相对高于无微腔结构常规器件的发光效率，一个高反射率的背镜面和一个低吸收率高反射率的出射镜面在微腔OLED器件中是必不可少的。只要出射镜有足够的反射率和足够低的吸收率，具有两个金属镜面的微腔OLED器件发光效率可以达到常规的无微腔器件的2倍。
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10．3：OLED器件的黑电极研究
Chia-Kuo Yen, Ching-Ian Chao and En-Chung Chang
ITRI/Opto-Electronics & System Laboratory
Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C
Chien-To Yueh
WorldLED Optoelectronics Corp., Taiwan, R.O.C
本文研究了一种黑电极（BE），也就是夹在一个薄的金属层和一个反射层中间用作的控制层，以减少器件对自然光的反射。通过接入薄的金属层和反射金属层，应用时可以不考虑这种控制层功函数对器件的影响。加入这种黑电极的OLED器件，平均反射率比常规的使用圆偏振片（CP）OLED器件低5.9%。
器件结构：
器件A: ITO/NPB/Alq3/LiF/Al
器件B: ITO/NPB/Alq3/LiF/薄 Al/NPB/Al
器件C: ITO/NPB/Alq33/LiF/薄Al/rubrene/Al
器件D: ITO/NPB/Alq3/LiF/薄Al/LiF/Al
图1 黑电极器件结构
表1 OLED器件特性
D1（BE器件）
图2 3中64×128OLED屏照片(a) 标准屏(b)带圆偏振片的标准屏 (c)带黑电极的标准屏
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10．4：高性能新型OLED器件结构和显示
Thomson R&D France, 1, avenue Belle Fontaine – CS 17616 35576 Cesson-Sévigné – France
J. Birnstock, M. Hofmann, P. Wellmann
Novaled GmbH, Zellescher Weg 17, 01069 Dresden – Germany
Yung-Hui Yeh,Yu-Rung Liu,Lieh-Chiu Lin, Bou-Chi Chang
ITRI/ERSO: E1500 Bldg. 15,195,Sec.4, Chung Hsing Rd. Chutung, Hsinchu, Taiwan 310, R.O.C.
本文描述了一种基于掺杂电荷注入层的高性能新型OLED器件结构。将这些结构应用在激光退火多晶硅3.25寸QVGA主动驱动矩阵显示上，器件表现出较低的驱动电压。显示亮度为120cd/m2时，整体驱动电压低于7V，功耗为280mW。
本文中的PIN-OLED（包含一个P型掺杂的空穴传输层，一个本征传导发光层，和一个N型掺杂电子传输层的OLED）器件结构：一个P-掺杂空穴传输层（NDP-2
），阳极，第一个中间层，发光层，第二个中间层（铯掺入BPhen），一个N－掺杂电子传输层，阴极。
图1 P型驱动背底上制备底发射和顶发射器件的电压－电流－亮度曲线
图2 140 0C温度处理下ITO阳极薄膜表面形貌AFM图
图3 所得样品屏显示图片
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10．5：高效高工作稳定性顶发射OLED器件
Hajime Murakami, Masao Shimizu, and Sukekazu Aratani
Department of Imaging Devices Research, Hitachi, Ltd., Materials Research Laboratory 1-1, Omika-cho 7-chome, Hitachi-shi, Ibaraki-ken, 319-1292 Japan
Masahiro Tanaka
New Business Development Center, Hitachi Displays, Ltd.3300, Hayano, Mobara-shi, Chiba-ken, 297-8622 Japan
我们成功研发了一种以V2O5做缓冲层的高效高工作稳定性顶发射OLED器件。其中，V2O5缓冲层的作用是抑制溅射过程中高能粒子轰击和有机材料的分解对器件的损伤。
图1透明导电氧化金属的标准Gibbs能量
图2 V2O5缓冲层的顶发射(TE)和底发射(BE)OLED器件结构
图3 V2O5缓冲层的顶发射(TE)和底发射(BE)OLED器件的电压－电流密度取曲线
图3 V2O5缓冲层的顶发射(TE)和底发射(BE)OLED器件的电压－亮度曲线
图4 V2O5缓冲层的顶发射(TE)和底发射(BE)OLED器件的电流密度－电流效率曲线
图5 V2O5缓冲层的顶发射(TE)和底发射(BE)OLED器件老化曲线
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P-34：红绿蓝白OLED显示中像素版式对图像质量的影响以及图像过程算法
Michael E. Miller, Michael J. Murdoch, Paul J. Kane, and Andrew D. Arnold
Research & Development Laboratories, Eastman Kodak Company（柯达公司）, Rochester, NY 14650-1816, USA
本文对几种采用了不同的RGB和 RGBW色彩转换途径的，RGBW像素版式进行了模拟，并将模拟结果与RGB像素版式进行进行了定量比较。结果表明，具有相同数目像素的RGBW像素版式比传统的RGB像素版式图像质量有明显提高。
图1 RGBW条形和方形像素版式
图2 两种附加的RGBW像素版式
图3 次级RGBW条形版式显示效果模拟
图4 偏置次级RGBW方块形版式显示效果模拟
图5 RGB和RGBW版式白光混合率显示效果模拟
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