P-43:为增加像素均匀性的AMOLED面板驱动单DAC电流传输系统
Gordon Yip, Reiji Hattori, Shintarou Sugimoto
Department of Electronics, Kyushu University, 6-10-1 Hakozaki, Higashi-ku, Fukuoka, Japan
本文描述了一个用于AM-OLED的54口输出电流降数据驱动器，驱动方式为电流程序方式。6位模拟级时，这种驱动器将驱动电流降至1微安。
图1 单数字向模拟转换器（DAC）电流传输系统信号传输简化模块示意图
图2 像素电流示意图
图3 AM-OLED电流降数据驱动器模块图
图4 电流锁存模块示意图
图5 数据驱动电路芯片布局图
图6 输出波形
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P-128: 用V2O5做为阳极缓冲层的反向顶发射OLED器件
Xiuling Zhu, Jiaxin Sun, Huajun Peng, Man Wong and Hoi-Sing Kwok
Central for Display Research
Dept. of Electrical and Electronic Engineering
Hong Kong University of Science and Technology
Clear Water Bay, Hong Kong
本文研究了用覆盖以真空沉积半透明银层的V2O5作为阳极的反向顶发射OLED器件。器件发光层采用C-545T的Alq3掺杂，最大外电流效率为11cd/A。我们认为该器件的良好性能主要来源于V2O5的高功函数，它为器件提供了有效的空穴注入。
器件结构：
图1反向顶发射OLED器件结构
表1 不同厚度V2O5反向顶发射OLED器件性能
图2不同厚度V2O5反向顶发射OLED器件电流效率特性（黑：1nm; 红：3nm; 绿：7nm）
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P-129:采用新型阳极－阴极层的高效叠层OLED
J. X. Sun, X. L. Zhu, H. J. Peng, M. Wong and H. S. Kwok
Center for Display Research, Dept. of Electrical and Electronic Engineering,
Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Hong Kong
本文采用新型阳极－阴极层(ACL)连接两个相同的发光单元制备了一个高效叠层OLED器件。发光单元采用的是：NPB/Alq3: C545T/BCP或NPB/CBP: Ir(ppy)3/BCP. 在这个叠层器件中ACL的作用同时是下层器件单元的阴极和上层器件单元的阳极。与单单元器件相比，本文中叠层器件的发光效率为2倍，C545T- 和Ir(ppy)3-的叠层器件最大电流效率分别为22 cd/A和60 cd/A相应的驱动电流密度分别为7.2 mA/cm2和1 mA/cm2。
器件结构：
图1 绿色发光C545T－三种器件结构: (a)器件A (b)器件B (c)器件C
图2 器件A（黑）、B（红）、C（绿）的电流效率比较
图3 Ir(ppy)3-叠层（红）器件与常规（黑）器件的电流效率比较
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P-130: 用Current Mapping 和噪声测试技术探测PLED显示中的潜在短路像素
Dmitry Kolosov, Andrew Johnson and Johann Trujillo
DuPont Displays（杜邦显示）Inc., 600 Ward Drive, Santa Barbara, CA 93111-2300, USA
PLED器件中潜在短路点的形成是器件可靠性差的主要原因，这也是PLED商业化的巨大障碍。我们研究了两种测试技术以期当一个PLED显示可能发展为潜在短路像素时预见它。
图1反向13V驱动电压下的PLED器件中像素初始电流分布。
在模组中700C温度下，点亮1000小时后PLED器件中，初始漏电流小于0.01 ìA的像素都没有出现短路；漏电流大于1 ìA的像素全部出现短路；初始漏电流在0.01－0.1 ìA的658个像素中有8个出现短路。
图2 13V反向电压下短路像素出现几率预初始像素电流关系图
图3 反向13V驱动电压下，潜在短路形成与总泄漏噪声和漏电流之间的相互关系
图4反向13V驱动电压下，电流噪声值与同个器件中10个最高像素电流和间的关系
本文的数据显示，一个器件的电流噪声值和出现一个短路像素的几率之间存在紧密关系，所以我们看来电流噪声技术在早期检测PLED和PLED中存在的潜在短路点方面有良好前景。
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P-131: 新型深蓝色OLED器件用掺杂剂
Meng-Huan Ho and Yao-Shan Wu
Department of Applied Chemistry, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan 300
Chin H. Chen
Display Institute, Microelectronics and Information Systems Research Center, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan 300
本文设计并合成了一种基于“linked” stilbene moiety 的深蓝色掺杂材料。将这种材料掺杂与稳定蓝光主体材料MADN中，并加入空穴阻挡层制备出SK-I掺杂蓝色器件，最大发光效率达到4.7 cd/A相应色坐标为(0.145, 0.134)，驱动电流密度为20 mA/cm2，最后外量子效率达到4.1%。
图1 新的蓝光掺杂剂，MADN和BCP的分子结构
图2 SB-1掺杂器件结构和能级图
表1 SK系列和SB蓝色掺杂材料的物理和电化学特性
表2 SB-1和SK-1掺杂器件有无空穴阻挡层的电学性能
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P-132: 基于电化学稳定铱配合无物的长寿命深红色磷光OLED器件
Satoshi Seo, Hideko Inoue, Satoko Shitagaki, Nobuharu Ohsawa, Hiroko Abe, Kumi Kojima, Ryoji Nomura and Shunpei Yamazaki
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan（日本）
本文研究了一系列新的铱配合物，它们的配体中都含有喹喔啉结构。基于这些铱配合物的OLED器件显示为深红色发光，并且当初始亮度为500cd/m2时，器件半亮度老化寿命估计超过50000小时。
图1 铱配合物的化学结构
图2 用配合物2作为发光材料的OLED器件的典型器件结构
图3 图2中器件的电流密度－亮度－电流效率曲线
图4图2中器件的电致发光光谱
图5图2中器件的亮度衰减曲线
图5优化器件的亮度衰减曲线
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P-133: 优秀学生论文：高效深蓝色OLED器件
Meng-Ting Lee, Chi-Hung Liao, Chih-Hung Tsai
Dept. of Applied Chemistry, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan 300
Chin H. Chen
Display Institute, Microelectronics & Information Systems Research Center,
National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan 300
我们报道了一种高效深蓝色OLED器件。同时应用了新的空穴传输层化合物和一种新的掺杂于MADN中的蓝色荧光掺杂剂BD1，这种器件的最大电流效率达到5.4cd/A，相应的CIE坐标为（0.14, 0.13），外量子效率达到5.1%, 驱动电流密度和电压分别为20 mA/cm2 和 6.8 V。我们认为，器件效率的增加主要是由于到达复合区域的空穴和电子数得到了更好的平衡。
图1 实验中研究的器件和分子结构
图2 器件1，2，3的电压－电流密度(a)，电流密度－效率(b)曲线
表1 20 mA/m2电流密度下，蓝光器件的电致发光性能
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P-134:用于AMOLED显示的新型像素补偿电路
Du-Zen Peng, Shih-Chang Chang, and Yaw-Ming Tsai
AMOLED Technology Development Division, Toppoly Optoelectronics Corp.,
Chu-Nan 350, Miao-Li Country, Taiwan
本文研发并模拟了一种新型用于AMOLED的像素补偿电路。这个电路不仅可以补偿TFT器件的阈值电压(Vth)而且可以补偿OLED的功率电压(PVdd)。这个电路中仅需要一个电容(Cst)存储驱动TFT中的Vth并且在一帧内保存数据。由于大电流流过电源线时，PVdd的电压降可以被抵消，器件的亮度均匀性得到了提高。
图1 建议像素电路图
图2 时效分析
表1 模拟参数值
图3 常规2－T像素电路
图4高灰度下电流－阈值电压变化对比
图5底灰度下电流－阈值电压变化对比
图6常规2－T像素电路和建议像素电路PVdd降－电流变化比较
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P-135: 采用PEDOT-PSS对一个分级N－掺杂电子传输层进行高效电子注入的反向OLED结构Salvatore Ciná, David Vaufrey, Christophe Fery, Benoit Racine, Henri Doyeux, Armand Bettinelli and Jean-Claude Martinez.
Thomson R&D France, 1, avenue Belle Fontaine – CS 17616 35576 Cesson-Sévigné – France
本文首次应用PEDOT-PSS作为一个N型掺杂有机层的电子注入层。 为了获得最好的电子注入和传输效果，我们采用了一分级式N型掺杂结构。在反向OLED结构中，采用a－Si主动驱动面板取得了良好的器件效果。
图1 采用PEDOT-PSS作为电子注入层的反向OLED器件结构
图2 均匀掺杂（方块）和分级式掺杂（圆）电子传输层OLED器件电压－电流曲线
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P-136:采用均匀掺杂空穴传输层的高稳定性OLED器件
Chih-Hung Tsai*, Chi-Hung Liao*, Meng-Ting Lee* and Chin-H. Chen**
*Department of Applied Chemistry
**Display Institute,
Microelectronics and Information Systems Research Center,
National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, 30050, R.O.C
采用均匀掺杂空穴传输层（UM-HTL），本文制备了一种高稳定性OLED器件。与常规的NPB作为空穴传输层的C－545T的绿色发光器件相比，本文中同类器件寿命已增长到了3倍，并且驱动电压和色纯度不受影响。初始亮度为100cd/m2时，器件效率和色坐标分别为12.9cd/A和（0.31，0.64）,器件半亮度寿命为52000小时。我们器件（UM-HTL）的寿命是目前报道最好C-545T掺杂器件（采用双极性传输和发光层器件结构）的两倍。
图1 不同位置UM-HTL层C-545T掺杂绿光器件结构图
图2 不同位置UM-HTL层C-545T掺杂绿光器件电流密度－电流效率图
表1 20 mA/cm2 电流密度下，不同位置UM-HTL层C-545T掺杂绿光器件电致发光性能
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