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老化OLED器件中深电子俘获的直观研究
 2006-10-24
尽管对于商业化而言OLEDs的操作稳定性非常重要，然而人们对OLED老化，也就是电致发光效率在某个超长时间范围逐步衰减的本征机制知之甚少。之前，我们发现OLED老化源于电子和空穴传输层界面及其附近深空穴俘获的形成。现在，我们报道的是在NPB/Alq标准器件老化过程中复合区域附近深电子俘获的形成，这种深电子俘获也可以在受到短时间白光辐射的老化器件中有选择的分布。这些深电子俘获区域表现出弱的发光性能，发光效率据估计比Alq本身小100－150倍。短时间的白光辐射促进了这些电子俘获的形成，使OLED器件呈现一种0内建电荷的状态。接下来的驱动电流导致(i)“早”电致发光脉冲 (ii)电子俘获的释放 (iii)使老化OLED达到一种实质性的正内建电荷的状态。
   
尽管这些俘获的化学特性尚不清楚，发光光谱的红移，宽展，与电性质老化形成Alq老化产物的结论相符合。这种电子俘获的积累可能导致两种发光效率的损失机制：(i)迁移空穴与俘获电子直接复合产生一种近似不发光的激发态，和 (ii)OLED发光分子向未填满电子俘获分子的长程能量转移，产生同样的近似不发光激发态。 
 
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