SID 05 DIGEST
12.2: OLED/PLED专用干燥剂特性
Paolo Battilana1, Antonio Bonucci, Lorena Cattaneo
SAES Getters S.p.A., Viale Italia 77, 20020, Lainate, Italy

  本文提出了几种用于测试OLED/PLED专用干燥剂特性的实验方法，并报道比较了相关结果。本文测试了不同厂家的干燥剂。结果表面，测试条件对干燥剂特性测试结果造成了极大影响。例如，同种干燥剂可以表现出很小的理论容量，与之相反，如果采用与OLED/PLED工作环境相似的方法和测试条件，这种干燥剂又会表现出很好的特性。所测得的吸附性能可以用来计算一个器件工作寿命中产生水的浓度。这些计算显示出选用一个品牌干燥的效果和优点。本文将这些干燥剂性能测试方法进行了比较并给出了选择合适特性测试方法需要注意的要点。

测试方法：
1．体积测试

 
图1：不同干燥剂吸附性能测试。真空条件下体积测试

2微重量测试

 图2不同干燥剂吸附性能。N2回流微重量分析测试

3空气暴露测试

 
图3不同干燥剂吸附性能测试。空气暴露测试
 
图4 计算OLED/PLED中水的含量对时间的函数（SAES中有无干燥剂DryFlex效果比较）。

 
图5 精确老化条件下放置0.11 mm厚度干燥剂SAES DryFlex 像素的收缩情况

图6 不同干燥剂测试方法对0.11 mm厚度干燥剂SAES DryFlex测试的结果比较

结论：依赖于吸附速率的容量分析是衡量一种干燥剂好坏的最有用特性。

SID 05 DIGEST
P-2:新型a-硅技术：H TFT 像素电流抑制主动驱动OLED中由滞后和阈值电压漂移引起的OLED电流误差
Jae-Hoon Lee, Bong-Hyun You, Chang-Wook Han, Kwang-Sub Shin and Min-Koo Han
School of Electrical Engineering and Computer Sciences, Seoul National University, Seoul, Korea Tel: +82-2-880-7992, Fax: +82-2-883-0827, E-mail: mkh@snu.ac.kr

   本文提出了一种新型a-硅技术－H TFT 像素电路可用于主动驱动OLED,并用器件测量和SPICE模拟确认了其使用效果。实验和模拟效果表明，本文提议的像素结构包含了6个TFT,一个电容和两个附加水平信号线，这种电路通过反向偏压退火减小了a-硅 H TFT的阈值电压漂移率，通过VT存储结构补偿了a-硅 H TFT的阈值电压漂移和滞后现象。

 
图1测量结果：300K下器件老化引起的a-硅 H TFT的特性变化：(a)老化前后二极管特性(b)阈值电压随老化时间的漂移
 
图2测量结果：300K下器件老化引起的a-硅 H TFT中出现的滞后现象：(a)门电压扫过方向 (b)门电压开始点

 
图3 提议的像素电路和时效图

 
图4 提议像素驱动结构

 
图5实验结果：电学老化42小时后的器件电压－电流特性：(a)电偏压：VGS=13V
(14msec) and VGS=-10V (2.7msec),(b)电偏压：VGS=13V(直流)

 
图6：实验结果：42小时电学老化引起的器件性能变化：(a)阈值电压偏移率(b)输出电流衰减率

SID 05 DIGEST
P-5:亮度可控的电压驱动主动OLED显示
Hiroyuki Miyake, Yu Yamazaki, Jun Koyama, Masahiko Hayakawa,
Mitsuaki Osame, Satoshi Seo, and Shunpei Yamazaki
Semiconductor Energy Laboratory Co.,Ltd., 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, 243-0036, Japan
Soichi Ishijima
Tohoku Pioneer Corporation, 1105 Kunomoto, Tendo, Yamagata 994-8585, Japan

   尽管考虑到OLED老化时器件亮度与电流成比例时，电流驱动方法是较好的，但电压驱动方式在主动驱动OLED显示的功耗和薄膜晶体变化方面表现良好。低功耗在许多特殊的移动器件中显得尤为总要，例如手机。但，简单的电压驱动方式带来的后果时，器件亮度随周边温度和OLED的老化变化明显。我们成功解决了这个问题通过阳极电势设定，向面板上的监控OLED提供衡流驱动。

 
图1 为了获得稳定亮度的阳极电压对应于温度的曲线

 
图2 Ids-Vds 曲线

 
图3新的电压驱动方式框架图

 
图4 新的电压驱动OLED 和常规衡电压驱动OLED亮度曲线比较

 
图5阳极电流曲线图

 
图6新的电压驱动方式与电压驱动方式功耗比较

SID 05 DIGEST
P-8:应用于大面积面板驱动的新型反馈型主动驱动OLED器件驱动方式
Hai-Jung In, Il-Hun Jeong, Jin-Sung Kang, and Oh-Kyong Kwon
Division of Electrical and Computer Engineering, Hanyang University 16 Haengdang-Dong, Seongdong-Gu, Seoul, 133-791, Korea
Ho-Kyoon Chung
R&D Center, Samsung SDI Co., Ltd, Yongin-City, Kyungki-Do, Korea

   本文提出了一种新型用于大面积P-硅面板的反馈型主动矩阵OLED驱动方式。这种驱动包含电压和电流DACs，电流比较仪和反馈控制电路。我们在30寸HDTV面板上就驱动TFT的迁移率和阈变化进行了电路模拟，证实与先前的主动驱动OLED像素相比像素间的OLED电流均匀性得到明显提高。

表1 30寸HDTVs OLED电流要求
 

表2 30寸HDTVs AMOLEDs面板参数和附加电阻和电容

 
图1 (a)反馈型驱动电路和像素方块图(b)时效图

 
图2 已有像素结构图(a) Voltage-programmed-current-source pixel (b) Voltage programmed current mirror pixel (c) Current programmed current source pixel (d) Current programmed current mirror pixel

 
 
图3 随迁移率变化出错百分比(-20cm2/Vs ~ +20cm2/Vs)：(a) 随迁移率变化出错百分比(b)图3中a的放大图(c) 随迁移率变化出错百分比(d) 图3中c的放大图

SID 05 DIGEST
P-11:1.51寸四分之一－XGA（单色423ppi）全集成AMOLED显示及其应用
Tomoyuki Iwabuchi, Daisuke Kawae, Aya Anzai, Jun Koyama and Shunpei Yamazaki
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., 398 Hase, Atsugi, Kanagawa, 243-0036 Japan Phone Number : +81-46-248-1131 , FAX Number : +81-46-270-3751

   我们成功研发了一种适合与小尺寸文字便携式信息显示的全集成AMOLED显示，最后他实现了一个超高的分辨率并且集成了一个亮度补偿电路和一个基板上的DC/DC转换器。本文中，我们将讨论一种实现超高分辨率和集成功能电路的途径。我们介绍了我们最近研发的AMOLED显示。并且，就这种AMOLED显示的应用提出建议
实现超高分辨率的途径：

         
图1 4Tr/Cell 像素结构                 图2  2Tr/Cell 像素结构

 
图3 显示结构图

表1 基板参数

 
图4 显示图片

SID 05 DIGEST
P-15:用于AMLCD和AMOLED的高可靠性低漏电流A硅TFT
Chi-Wen Chen, Tesung -Yuen Tseng
Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsin-Chu, Taiwan, ROC
Ting-Chang Chang, Kao-Cheng Wang
Dept. of Physics and Institute of Electro-Optical Engineering, National Sun Yat-Sen University, Taiwan, ROC
Chen-Shuo Huang, Chia-Chun Ling
Institute of Electronics, National Tsing Hua University, Hsin-Chu, Taiwan, ROC
Po-Tsun Liu, Hau-Yan Lu
Department of Photonics & Display Institute, National Chiao Tung University, Hsin-Chu, Taiwan, ROC

   本文的工作致力于一种新型高性能加氢A硅TFT。在底蔽光门A硅TFT结构中，A硅岛边缘被另外沉积了重磷掺杂的A硅层。这一创新可以有效消除A硅：H岛边缘源/漏金属和A硅：H间的寄生接触引起的漏电流。并且，新的A硅TFT器件的电学性能展示出更为高效的载流子迁移率，由于寄生阻值的大幅提高，载流子迁移率已高达1.051cm2/Vsec。显著的优良特性使得这种A硅TFT可以广泛应用于AMLED和AMOLED技术。


图1 (a)常规反向型BCE TFT(b)Akiyama’s 蔽光结构(c)本文提出新结构

 
图2 TFT的ID-VG传输特性

 
图3 TFT的ID-VG传输特性和线性跨导（gm）

SID 05 DIGEST
P-25:基于电压反馈的新型a-Si AMOLED驱动方式
Shahin Jafarabadiashtiani, Gholamreza Chaji, Sanjiv Sambandan, Denis Striakhilev, and Arokia Nathan ECE Dept. University of Waterloo, Waterloo, Ontario, Canada
Peyman Servati
Ignis Innovation Inc., Waterloo, Ontario, Canada

  本文阐述了一种采用无定性硅基板的用于AMOLED显示的新型驱动技术。该技术用电压反馈补偿TFT的阈值电压漂移。测试结果表明2700小时偏压老化后OLED驱动电流变化小于3%。

 
图1 一个带有电压反馈的AMOLED像素电路

 
图2  一个70 kW n+微晶电阻对应老化时间的测量电阻

 
图3 2700小时老化后带有电压反馈的AMOLED像素的平均电流曲线

SID 05 DIGEST
P-138:单线态－三线态全彩AMOLED显示在功耗，寿命和色度方面的系统比较
Michele Ricks, Michael Boroson, John Ludwicki, and Andrew Arnold
Eastman Kodak Company, Rochester, NY 14650, USA
Material  Reported Efficiency (cd/A)  Reported Lifetime  Lifetime Estimate at 1000 cd/m2(h)  Voltage Estimate at 1000 cd/m2 (V)
Kodak Red Singlet  7  37,000 h at 1000 cd/m2 37,000  5.5
Pioneer w/ UDC Red Triplet [5]  12  30,000 h at 700 cd/m2 21,000  8.7
Kodak Green Singlet  15  15,000 h at 1000 cd/m2 15,000  4.2
Idemitsu Green Singlet [6]  19  40,000 h at 1000 cd/m2 40,000  N/A
UDC GD33 Green Triplet [7]  38  15,000 h at 1000 cd/m2 15,000  7.5
UDC New Green Triplet [7]  82  10,000 h at 1000 cd/m2 10,000  5.7
Kodak Deep Blue Singlet  5  12,000 h at 500 cd/m2  6,000  8.5

   本文中，我们比较了单线态和三线态材料制备全彩AMOLED显示的性能。一种系统级的方法被用于评价材料性能，主要是在显示的功耗，寿命和色度方面。为优化显示性能发展的显示结构技术也得到了评价，如微腔和彩膜结构。本文评价材料包括柯达的高品质OLED材料和有文献报道的其他OLED材料制造者。

表1 红绿蓝发光体特性

 
图1 不同发光体在模型显示中的功耗和寿命

表2 图1中显示的子像素亮度和开口率

 
图2 单线态和三线态发光体的电压－亮度曲线

 
图3 在模型显示中加入微腔和彩膜结构时的性能优化

 
图4 采用低驱动电压材料和结构对功耗的影响大于发光体种类的影响

SID 05 DIGEST
P-139:采用球状纳米碳作为高效电子传输层和欧姆型阴极OLED器件发展
X.-F. He, X.-D. Feng, B.-B. Li, S.-J. Han and B. J. Kennedy
Norel Optronics Inc., P.O. Box 32509, RPO Village Gate, Richmond Hill
Ontario, Canada L4C 0A2
V. Lui, R. Kangura, B. L. Low, and Z. H. Lu
Department of Materials Science and Engineering, University of Toronto
184 College Street, Toronto, Ontario, Canada M5S 3E4

   我们第一次报道了采用球形碳纳米结构的具有高效电子传输和欧姆型阴极连接层的OLED。球形或者时纳米球（NBB）具有高电子迁移率同时可以在LiF/Al阴极形成欧姆接触。这种结构将驱动电压降低了2V并且增加了30－50％的功率效率。得益于它的坚固界面结构，NBB器件表现出长的器件寿命和高稳定性。与采用Alq作为电子传输层的全彩显示相比，这种结构具有更广泛的可调节性。

 
图1 NBB沉积率对应温度关系曲线

 
图2 纳米OLED器件结构

 
图3 NBB电子传输层和Alq电子传输层OLED器件电压－电流密度－亮度曲线

 
图4 NBB/LiF/Al的界面特性

 
图5 NBB电子传输层和Alq电子传输层OLED器件电流和功率效率曲线

 
图6 相对亮度、电压随时间漂移曲线

SID 05 DIGEST
P-140: 高效蒽基蓝色发光OLED材料
Soon-Ki Kwona*, Jun Heoa, Jong-Won Parka, Yun-Hi Kima
aSchool of Applied Chemical Engineering & Engineering Research Institute, Gyeongsang
National University, Jinju, 660-701, Korea
Hyoung-Yun Ohb, Sung-Tae Kimb
bLG Electronic Institute of Technology, Seoul, 137-724, Korea

   本文设计并合成了一种新的蓝色发光材料BDDFA，它以蒽为主链，一个刚性大体积高空穴传导性能和能量传递性能的苯胺取代芴作为侧琏。新材料3维结构的理论计算，HOMO、LUMO态能量密度和光学特性表明：这种新材料具有一种非共面结构，并且具有良好的由侧琏向主琏的分子内能量传输，由此得到了高发光效率和高色存度。将这种新设计的蓝光材料应用与多层器件，获得4.2cd/A（7.5V驱动电压下，3.3%量子效率）发光效率是可能的。多层器件的电致发光光谱显示出一个窄的发光谱带，半高宽为53nm,发光峰位于461nm.

 
图1 BDDFA的合成路线及结构


图2 甲苯稀溶液和薄膜状态BDDFA紫外－可见和光致发光光谱